國家科學及技術委員會新竹科學園區管理局

標題 鴻鎵結盟日本NTT-AT進駐竹科，以第三代功率元件搶占5G、電動車商機 分類 其它 公告單位 企劃組綜合規劃科 公告日期 2019/06/25

為因應未來電動車、5G高速通訊等產業對高階電源管理IC及功率放大器的市場需求，鴻鎵科技股份有限公司(簡稱鴻鎵科技)攜手日本NTT-AT公司，開發領先業界650V以上高崩潰電壓矽氮化鎵(GaN-on-Si) 功率元件及碳化矽氮化鎵(GaN-on-SiC)磊晶片，突破歐美日等國際大廠競爭，以高階技術搶占車用電子、AI智慧控制晶片等新興市場商機。 功率半導體元件為電能轉換、電路控制等電源管理之重要零組件，傳統第1代半導體材料矽（Si）、第2代砷化鎵（GaAs）在物理特性限制下，已無法跟進電動車等新興產業的技術要求，因此具寬能隙(Wide Band-gap)特性之碳化矽( SiC)及氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料，以耐高溫、低導通電阻、低切換損失、高頻操作等特性，勢將逐步取代現有砷化鎵材料，成為功率半導體市場亮點。依據Yole Developpement分析，全球碳化矽(SiC)功率半導體市場將從2017年的3.02億美元，快速成長至2023年的13.99億美元，年複合成長率(CAGR)達29%；主要成長推手來自汽車產業對車載充電器(OBC)、直流轉換器、電源管理IC等需求，也成為歐美日等國際大廠兵家必爭之地。 鴻鎵科技於107年12月獨家技術移轉日本NTT-AT公司矽氮化鎵磊晶技術及量產製程設備，對鴻鎵科技的功率半導體元件領先製程技術可說是如虎添翼；鴻鎵科技業於108年3月經科技部核准進駐新竹科學園區，投入矽氮化鎵及碳化矽氮化鎵功率磊晶片及氮化鎵功率電晶體之開發。其中矽氮化鎵(GaN-on-Si)功率電晶體，崩潰電壓可以達到650V以上，相較目前其他國際大廠崩潰電壓在400V以下具有不可取代的競爭優勢，未來將持續朝900V以上的矽氮化鎵功率磊晶片推進，更能滿足大功率馬達與電動車產業的技術需求。此外，開發微波專用碳化矽氮化鎵功率磊晶片，其功率放大器將可取代現行砷化鎵功率元件，跨入5G產業的新應用領域。 鴻鎵科技進駐新竹科學園區後，將在自有技術基礎上結盟日本NTT-AT公司，持續深耕第三代功率半導體元件高階技術研發，亦可結合園區半導體產業鏈的製造與成本優勢，建立氮化鎵磊晶片與元件模組上下游供應鏈，使臺灣在AI智慧控制晶片、車用電子、電動車產業及5G產業中，設立領先技術門檻並在國際市場中搶占重要地位。

截止日期 2023/07/31

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