 公司基本資料：-
公司設立登記日期：0800201
地址：新竹科學園區新竹市科技五路6號
電話：(03)5782345
傳真：
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| 公司簡介：
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技術自主，推展人類文明！
鈺創科技公司為專精IC產品設計與產銷的股票上櫃公司，於1991年成立於新竹科學園區，由創辦人盧超群博士領導一批優秀研發團隊，率先投入VLSI記憶體開發工作，承攬「次微米計劃」設計工程，開發8吋晶圓次微米技術，為台灣DRAM、SRAM產業之蓬勃發展奠定深厚基礎。
在開創超高速記憶體IC研發新導向，鈺創科技公司締造許多世界級佳績，領先開發出華人自製的第一顆16Mb DRAM及超高速度4Mb SRAM，全球最快速256Kbx16 EDO DRAM，至16Mb SGRAM、64Mb SDRAM及供手機使用之最先進超低功率8Mb SRAM等，充份展現其創新研發實力及落實產品量產化，建立起全球技術里程碑及提昇產業競爭力。
稟持立足台灣開發領先半導體產品的信念，落實以微電子產品及技術推展文明的承諾，華人自有之半導體產品領導者-鈺創科技與世界一流系統客戶夥伴走在科技文明最尖端！
產品豐富，符合市場需求！
鈺創科技公司主要產品線包括：動態隨機存取記憶體(DRAMs)、靜態隨機存取記憶體(SRAMs)，及液晶顯示器控制單晶片(Display ICs)等。其超高速DRAMs，應用於3D繪圖及影像處理與網路通訊系統中；超低功率SRAMs，應用於無線電通訊及Internet Appliances中；此外，並整合Analog-to-Digital轉換器與Digital控制器，成為混合信號與邏輯信號之系統單晶片(SOC)產品，應用於各種液晶顯示器及液晶投影機等方面。
不斷創新及快速反應市場需求，是鈺創科技所研發之產品受到市場好評的主因。在無線電通訊熱潮興起之前，鈺創科技即發揮其超低功率設計之專長，切入Ultra-low-power SRAM市場。此外，向深次微米製程的DRAM設計挑戰，研發各項更快速、更高密度、更小體積的利基型64Mb 及128Mb DRAM產品，並以此切入嵌入式記憶體(Embedded Memory)的SOC市場。
創新多元化，迎接挑戰！
鈺創科技快速茁壯，並積極佈建相關科技企業，包括生產無線電IC產品之美國聿勤公司(EiC Corp.)，網路多媒體產品之我想科技公司(iCreate Co.)，以設計服務為導向之創意電子公司(Global UniChip Co.)，專業SOC測試、晶圓級測試及封裝服務之欣銓科技公司(Ardentec Corp.)，IC通路銷售之易馳科技公司(Axtra Corp.)等，朝向多方位半導體產品整合，以更高功能記憶體及系統單晶片(SOC)，成為充份滿足系統客戶物美價廉之次系統解決方案的提供者(Subsystem Solution Provider)。鈺創依循「立足台灣，角力世界」的國際化、多角化及高科技暨先進產品多元化之目標方針，邁向以設計技術主導及Memory/ SOC產品群為核心掛帥的標竿企業。 |
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| 創新產品： |
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鈺創科技之8Mb超低功率靜態隨機存取記憶體 (Ultra-Low Power SRAM，以下LP SRAM) Known Good Die(以下KGD)裸晶產品為全球最先進記憶體產品之一，該項產品締造同型產品中最快速度(50ns)或最低工作電壓(1.8伏特)的世界級記錄，並採用台積電(TSMC)最先進的12吋晶圓廠之0.15微米製程技術，晶粒面積更小於40mm2。在無線通訊未來發展中，元件產品體積須愈來愈小的需求下，鈺創科技8Mb LP SRAM Known Good Die裸晶產品，特別符合無線通訊市場之高階產品如：i-Mode、GPRS、3G等手機、個人數位助理(PDA)等行動網際網路裝置(Mobile Internet Device)的應用。
產品特色及創新
鈺創科技之8Mb LP SRAM KGD裸晶產品具備以下幾個產品特色：
1. 高速度：在1.65~2.7V工作電壓下，速度可低於70ns；在2.7~3.6V工作電壓下，速度更可低於50ns。
2. 低功率：低耗電量設計，以超低電壓，耗電量最高僅有0.6W，具有Power-saving省電功能，為一環保的半導體產品。
3. 體積小：採先進12吋晶圓廠0.15微米製程技術量產8Mb LP SRAM產品，可提供Known-Good-Die裸晶出貨不但可縮小體積更可少掉封裝成本。
4. 操作環境：寬廣工作電壓在1.65V~3.6V之間；在3.6V工作電壓下，標準待機電流為2.0μA；低儲存資料電壓1.0V~3.6V。寬廣工作溫度為攝氏-40o C到85o C。
5. I/O介面：所有輸入及輸出皆可與LVTTL介面相容。
設計技術突破及創新
此顆8Mb LP SRAM Known Good Die裸晶產品之技術創新說明如下：
1. 最低標準工作電壓可至1.8伏特
在無線通訊市場領域，鈺創科技強調與世界大廠，諸如：Samsung、三菱等同步，成功開發出最低工作電壓為1.8伏特能達到高速度70ns的LP SRAM產品，而其他國內競爭者仍處於開發3伏特LP SRAM產品階段。
2. Known Good Die技術，發揮深度技術與精密電路之超高境界
就元件設計技術來看，8Mb LP SRAM Known Good Die裸晶產品，沒有傳統封裝成品的外表，Known Good Die產品體積超小，更可比喻如『米雕』般精密，其結合深度技術與精密電路，將人類智慧充份展現在次微米的晶粒面積上。
3. Wafer Level Burn-in Mode技術
在設計階段即考慮降低後段生產成本，如電路設計時即考慮可靠度驗證問題，加入Wafer Level Burn-in Mode設計，使產品在晶圓測試階段即可進行可靠度驗證，封裝後不需進行Burn-in，降低封裝及成品生產測試成本。
4. LP SRAM產品研發之自創技術
自創技術名稱 功能特性
Redundancy Repair Scheme for Low Power SRAM 提高產品良率
A Minimum Pulse width Detection and Regeneration 使產品於低壓下仍能達到高速度的要求
Wafer Level Burn-in for Memory ICs 提供KGD之技術基礎
An Input Buffer Circuit for Low Power Application 用於低功率應用之輸入緩衝電路 |
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- 創新產品研發人員：
- 鈺創科技公司
VLSI研發處兼尖端產品及技術處
資深副總經理丁達剛等人
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