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| 公司簡介：
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晶研科技是一家半導體前段製程設備公司，以設計及製造半導體、微機電、光電及高頻通訊產業之薄膜製程設備為主，並提供製程開發、測試以及交機前的代工服務。主要產品包括：高密度電漿蝕刻設備（hdp sq. ETCHER）、電漿輔助化學氣相沉積設備（PP2001D PECVD）、活性離子蝕刻設備（PP2001E RIE）、高密度電漿化學氣相沉積設備（hdp CVD）、多腔式連續製程設備、射頻產生器（RF Power Generator）及匹配網路（Match Network）等。
本著追求「創新研發、誠心待人」的經營理念，晶研科技不但斥資數千萬建立具國際標準的無塵室、測試中心及研發認證中心，更聘請博士、碩士以上學歷的菁英團隊，以追求「顧客滿意」為終極目標。晶研科技目前在製程研發方面，已有相當傲人的成績，近期獲得的專利包括：新的孔隙型low-k薄膜製程、高密度電漿設計、創新型大面積高密度電漿設計及多晶片連續製程解決方案等，其他六項申請亦陸續獲准中，卓越的技術足以媲美世界一流的研究室。
晶研科技以技術支援為出發點，以Customer Design的服務策略提供符合顧客需求的產品，並將自行研發的元件製程技術分享給客戶，加強客戶在開發新產品的意願，藉以提昇國內工業技術等級。目前的目標客戶以國內砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等III-V族光電半導體產業及矽族光纖通訊半導體產業為主。 |
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| 創新產品： |
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電漿技術一向受到各界廣泛地重視及應用，特別是在半導體元件的製程上有著舉足輕重的地位。一般而言，電漿被直接激發在放置晶圓的反應腔內，藉由解離進料氣體而產生等量的陰、陽離子和反應自由基(free radical)，自由基藉由擴散到達晶圓表面與其反應。另一方面，陽離子因受到類陰極所產生的負偏壓，而不斷地轟擊在類陰極上方之晶圓。雖然此反應設計能兼有化學性與物理性的作用，但並不適用於一些較敏感或脆弱的基材，因為電漿中陽離子的轟擊(ion bombardment)可能會造成晶圓之損害。
為了減少晶片直接接觸電漿所帶來的損傷，另一類型的電漿反應器因而產生，此類型的設計被稱為遙距電漿(remote plasma)或下游電漿。下游電漿的設計目標，主要為高產量、無污染、均勻的製程速度和低晶圓損傷等。由於下游電漿是利用多孔隔板來達到杜絕帶電離子的通過，不良的隔板設計將造成反應氣體滯留在晶圓的中央部位，導致不均勻的製程速率或邊緣對中心的反應速率。
晶研科技自行研發之下游電漿反應器系統，包括一感應線圈組態及一旋轉型的直立承台，該感應線圈組態安置在一反應腔之側壁外，並由至少一對線圈單元彼此平行地排列組成，相鄰的線圈單元因電流的方向相反而感應出連續且具環狀的磁力線在該感應線圈組態的附近，使得帶電離子侷限在此有限的磁力範圍內，僅讓中性自由基擴散到該反應腔中晶圓的表面進行反應，因而減少晶圓直接接觸電漿所造成之元件損害，而該旋轉型的直立承台可承載多片晶圓，其轉速由下方銜接之驅動器控制，以達到製程之均勻性及提高產量等效果。下游電漿可廣泛運用於IC製程，例如薄膜沉積、蝕刻、阻劑清除、反應側壁和晶圓之清潔。除了上述提及的IC製程外，下游電漿更延用在各種不同的工、商業需求，特別是在醫療器材上的消毒和布料表面的處理。
★其基本重要配備如下：
1. 電漿源系統( power source )：包含RF功率產生器(RF generator)及阻抗匹配箱(match box)
2. 感應線圈組態：安置在一反應腔之側壁外，並由至少一對線圈單元彼此平行地排列組成，相鄰之線圈單元流過彼此相反繞行方向的電流
3. 反應腔：具有一底盤、一頂蓋及圍繞的側壁。
4. 介電窗：介於該等線圈單元及該反應腔之間
5. 承台：在反應腔中間，可承載晶圓。
6. 真空及氣體輸送系統
7. 自動化控制系統，獨立設定參數，自動運作 |
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- 創新產品研發人員：
- 賴晉頌、陳應毅、盧銘詮、巫洧源、陳宏聖、蔡承崇、郭光哲、蘇信銘
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